Рассматривается воздействие дефектов кристаллической структуры на фазовые переходы и физические свойства сегнетоэлектрических кристаллов. Анализируются возможности модификации свойств сегнетоэлектриков спомощью направленного введения примесей либо воздействием ионизирующих излучений, влияние дефектов на аномалии физических свойств в области фазовых превращений и доменную структуру кристаллов сегнетоэлектриков
