Методы расчета диффузионных структур: Методические указания
Быкадорова Г.В., Гольдфарб В.А., Кожевников В.А., Гашков А.Н.
В данных методических указаниях рассмотрены методы расчета концентрационных профилен и электрофизических параметров полупроводниковых структур, полученных диффузией. Каждый раздел содержит физическую и математическую модели технологического процесса, задания и контрольные вопросы. Для ряда типовых задач приведены решения с соответствующим программным обеспечением, написанным на языке Паскаль и ориентированным на использование персональных компьютеров типа IBM. Методические указания предназначены для проведения аудиторных занятий и самостоятельной работы студентов физического факультета 4 и 5 курсов по специальности 014100 ''Микроэлектроника и полупроводниковые приборы'' и студентов 6 курса, обучающихся в магистратуре по направлению ''Физика'' (специализация ''Полупроводниковые приборы и микроэлектроника'') при изучении спецкурсов ''Математическое моделирование технологических процессов в микроэлектронике'', ''Физические основы технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем'', ''Физические основы микроэлектроники и наноэлектроники''
