Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получении практических навыков работы с технологическим оборудованием и полупроводниковыми материалами. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ

Скачать книгу бесплатно (pdf, 440 Kb)

---

Читать «Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы»