В книге представлены доклады известных специалистов из разных стран на IV Международной конференции по моделированию полупроводниковыхприборов и интегральных схем, проходившей в июне 1985 г. в г. Дублине.Рассматриваются вопросы моделирования электрофизических характеристик приборов и технологических процессов, применяемых при их изготовлении. Большоевнимание уделено используемым численным методам и описанию пакетов прикладных программ. Широко представлены результаты двумерного моделированияразличных полупроводниковых приборов, а также процессов диффузии и окисления. Наряду с традиционной диффузионно-дрейфовой моделью в ряде работ дляанализа характеристик приборов используются гидродинамическая модель и метод частиц. Основное внимание уделяется кремниевым приборам, но в ряде работ рассматриваются свойства, характерные для приборов на основе соединений А3В5. Кратко затрагиваются вопросы схемотехнического анализа, моделирования литографии, травления, осаждения, ионной имплантации, воздействия светового и ионизирующего излучений. Русское издание книги:New Problems and New Solutions for Device and Process Modelling Proceedings of the Fourth International Conference on the Numerical Analysis of Semiconductor Devices and Integrated Circuits June 1985, Trinity College, Dublin, Ireland Edited by JJ.H. MILLER Boole P (June 1985)ISBN-10: 0906783453

Скачать книгу бесплатно (djvu, 5.51 Mb)

---

Читать «Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов»