libcats.org
Главная

Leakage in Nanometer CMOS Technologies

Обложка книги Leakage in Nanometer CMOS Technologies

Leakage in Nanometer CMOS Technologies

,

Взято с ozon.ru:

"The goal of Leakage in Nanometer CMOS Technologies is to provide a sample detail so that the reader can understand why leakage power components are becoming increasingly relevant in CMOS systems that use nanometer scale MOS devices. Leakage current sources at the MOS device level including sub-threshold and different types of tunneling are discussed in detail. The book covers a promising solutions at the device, circuit, and architecture levels of abstraction. Manifestation of these MOS device leakage components at the full chip level depends considerably on several aspects including the nature of the circuit block, its state, its application workload, and Process/Voltage/Temperature conditions. The sensitivity of the various MOS leakage sources to these conditions are described from the first principles. The resulting manifestations are discussed at length to help the reader understand the effectiveness of leakage power reduction solutions under these different conditions. Case studies are presented to highlight real world examples that reap the benefits of leakage power reduction solutions. Finally, the book highlights different device design choices that exist to mitigate increases in the leakage components as technology scales."-Целью данной книги является детальное рассмотрение примеров для того, чтобы читатель мог понять, почему утечка мощности становится всё более и более значимой в КМОП системах, которые используют наноразмерные МОП элементы. То, что источники тока утечки на уровне МОП устройств включают в себя подпороговое и прочие типы туннелирования, подробно обсуждаются. В книге рассматриваются решения данной проблемы на уровне устройств, схем и архитектуры. Проявление этих КМОП компонетнов утечки в масштабах микросхемы значительно зависит от нескольких факторов таких как структура блока микросхем, его состояния, применения, техпроцесса/напряжения/температуры. Влияние этих факторов на различные источники утечки объясняется на основе вышеперечисленных принципов.
В завершении,в книге подчёркнуты различные структуры устройств, выбор которых позволит перейти к рассмотрению такого компоненты утечки как технологический размер.


Скриншот



Популярные книги за неделю:

О физической природе шаровой молнии

Автор:
Категория: science, science, exact
Размер книги: 5.03 Mb

Ключ к сверхсознанию

Автор:
Категория: Путь к себе
Размер книги: 309 Kb

Древо жизни

Автор:
Категория: Путь к себе
Размер книги: 1.70 Mb

Здоровье надо созидать

Автор:
Категория: Здоровье
Размер книги: 363 Kb
Только что пользователи скачали эти книги:

Planet Formation. Theory, Observations and Experiments

Автор: , Автор:
Категория: Geology
Размер книги: 9.07 Mb

Discrete Mathematics with Applications

Автор:
Размер книги: 11.13 Mb

Poetry for Students, Vol. 35

Автор: , Автор:
Размер книги: 7.02 Mb

Space and Time

Автор:
Размер книги: 5.64 Mb

Il Passo Di Merlino

Автор:
Категория: fiction
Размер книги: 1.12 Mb

Catching Fire: How Cooking Made Us Human

Автор:
Категория: fiction
Размер книги: 270 Kb

Kurikara- The Sword and the Serpent- The Eightfold Way of the Japanese Sword

Автор:
Категория: fiction
Размер книги: 5.91 Mb