Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии - наиболее универсальной современной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся ранее данные и сведения из отчетов фирм и докладов на конференциях. Приведено большое количество графиков и поясняющих схем. В первой части книги описаны свойства силикатных стекол, методы получения окисных пленок на кремнии, электрические свойства пленок окиси па поверхности кремния и МОП-структур и методы их измерения, использование кремниевых окисных пленок в интегральных твердых схемах. Во второй части изложена теория диффузии, приведены экспериментальные данные о диффузии в монокристаллах кремния, рассмотрены методы проведения диффузии. Третья часть посвящена вопросам эпитаксии, технике и методике эпитаксиального наращивания и обсуждению получаемых результатов. Книга полезна разработчикам и технологам полупроводниковых приборов, физикам, физико-химикам и химикам, изучающим явления в полупроводниковых устройствах, а также специалистам, применяющим интегральные схемы. Ее можно рекомендовать в качестве учебного пособия студентам вузов, изучающим физику и технологию полупроводников.

Скачать книгу бесплатно (djvu, 4.96 Mb)

---

Читать «Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия»