В работе описаны физические основы межподзонного поглощения излучения в квантовых ямах, принцип работы основанных на этом явлении резистивных инфракрасных фотодетекторов и методика исследования их спектральной характеристики на фурье-спектрометре. Для студентов вузов, обучающихся по специальности 202000 ''Нанотехнологии в микроэлектронике''. Подготовлено на кафедре физики полупроводников и оптоэлектроники ННГУ

Скачать книгу бесплатно (pdf, 495 Kb)

---

Читать «Исследование инфракрасных фоторезисторов на внутризонных переходах в квантовых ямах InGaAs/GaAs: Описание лабораторной работы»